之所以孙祖杰这么牛逼轰轰。敢做这样的赌博。就是因为孙祖杰在八十年代投资启动研究的几款激光器。尤其是arf193nm激光器终于在1997年开发成功。这是一个具有战略意义的重大突破。

而最先进的极紫外光euv技术。华国经过长期不懈的攻关。目前也已经取得了不少的成果。

之所以在光源上取得突破。原因就是华国的激光技术一直处于世界一流水准。有了不少投资。又有了明确的方向。取得发展是必然的。

华吉光电所搞出的激光器虽然功率低了一些。但是勉强可以使用。这也迫使倭美两国不得不陆续放弃了对华国在这一领域的技术封锁。

孙祖杰对他们取得的成功非常高兴。华投紧接着又拨给他们一千万华元资金。要求arf193nm激光器必须达到西方同等水平。

但是光源只是光刻机一小部分。作为最尖端的机电一体化产品。华国自产的光刻机最大的问题就是套刻精度不够和生产效率不行。

套刻精度与光刻分辨力密切相关。如果要达到0.10μm的光刻分辨力。根据33%法则要求套刻精度不低于0.03μm。

套刻精度主要与工件台和掩模台定位精度、光学对准精度、同步扫描精度等因素有关。定位精度、对准精度和同步扫描精度分别约为套刻精度的1/5～1/3。即0.006～0.01μm。

而提高生产效率是光刻机实现产业化的必要条件。为了提高生产效率。必须优化设计激光器输出功率、重复频率、曝光能量控制、同步扫描等各个技术环节。并采用先进技术尽量减少换片、步进和光学对准等环节所需时间。

要想能够完善所有环节。必须用漫长的时间去摸索。调试。这就需要大量的投资。虽然欧派微芯出钱。各大学和几大光学所出技术。花了无数的钱。但是因为华国整体工业实力的不足。华国国产光刻机为了提高套刻精度。还是不得不降低生产效率。

华国九十年代研发的1微米前道光刻机相比于进口产品。效率一直差得比较多。就是这个原因。所以为了提高生产效率。孙祖杰很早就想到了阿斯麦的双工作台。

双工作台系统。使得光刻机能在一个工作台进行曝光晶圆片。同时在另外一个工作台进行预对准工作。并在第一时间得到结果反馈。这样生产效率可以提高大约35%。精度提高10%以上。

但是双工件台系统虽然仅是加一个工作台。但技术难度却不容小觑。对工作台转移速度和精度有非常高的要求。

华国工程师从磁悬浮技术得到启示。利用华国在永磁体领域的领先。正在全力开发磁悬浮工作台。目前实验研究已经有了不小的突破。实验发现精度确实有了不小的提高。

现在有了193nmarf光源。有了浸没式光学镜头。又有了双工作台的突破。专家们经过研究认为根本没有必要再跟着西方的技术路线亦步亦趋。欧派微芯完全可以直接攻关0.1微米左右线程的浸没式光刻机。

因为使用193nmarf光源的浸没式光刻机。波长直接缩短为134nm。这样新型光刻机可以直接从0.1nm左右线程起步。再通过光学邻近效应矫正等技术后。其极限光刻工艺节点甚至可达28nm。