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实验室中，韩元整理着针对这种芯片的研究数据。

虽然对于这种芯片、里面的材料是如何制造的、如何控制粒子辐射，光辐射的角度强度之类的东西研究毫无进度。

但这种芯片的运行机制最起码弄明白了。

在计算机芯片中，电子带隙是半导体材料的一个非常非常重要的特性。

这东西导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。

是判断材料物理性质随弹性应变变化的重要指标，它决定了大功率或高频器件性能、寿命等一系列的东西。

带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低。

简单的来说，带隙大，它的导电能力就越低，带隙小，导电就越高。

比如金属材料的带隙就远比非金属材料的小，这也是金属的导电性能强于绝大部分非金属材料的原因。

而材料的电子带隙分两种，一种是间接带隙，另外一种则是直接带隙。

相比较之下，直接带隙半导体中的电子更容易发生跃迁。

因为在直接带隙中，电子可以直接跃迁释放光子，不涉及动量的变化。

而这种特殊的金刚石，是一种用拉伸手段制造而成的特殊金刚石。

它强行将金刚石的原先的间隙带隙拉伸缩小到了直接带隙的程度，极大的降低了穿透它的光辐射和粒子辐射的能级损失，又因此降低了耗能。

在相同的性能的情况下，一块硅基芯片的耗能是10的话，那么碳基芯片则是1，而这种金刚石芯片则是001。

能级相差极大。

如果抛去掉粒子辐射，仅看光辐射的话，这种金刚石芯片差不多就是传统意义上的‘光子计算机’的‘核心芯片’了。

因为它是使用光信号进行数字运算、逻辑操作、信息存贮和处理的。

不过在这里，核心的计算粒子应该是那种由能源石中散发的h粒子，光辐射的作用应该是给h粒子的传导搭一条路，以固定h粒子的传递，让其不至于跑偏。

换做硅基芯片中的难题，大致就是相当于解决低纳米级时出现的‘量子隧穿效应’。

嗯，差不多可以这样理解。

不过这玩意先进是先进，但和韩元使用的碳基芯片是另外一套完全不同的体系。

虽然有一定的参考价值，但从目前的发现来看帮助并不多。

而且更令韩元困惑的是，一块芯片中的灯柱数还不到一万，至少他手上这块用于研究的金刚石芯片中的灯柱数量还不到一万，只有七千六百多个。

比如硅基芯片碳基芯片中动辄数十亿，数百亿的晶体管数量来说，七千六百个灯柱的数量，连零头都够不上。

而灯柱的功能，目前来看和碳基硅基芯片中的晶体管的功能是一致的，都是起控制‘介质信号’的作用。

这意味着这种金刚石芯片的性能，应该远低于硅基芯片和碳基芯片。

可事实上，从撒哈拉之眼中的那台类计算机设备的性能来看，这种金刚石芯片的性能，应该是超过碳基芯片和硅基芯片的。

这是韩元有些不明白的地方。

理论告诉他，金刚石芯片的性能要低于碳基芯片，但事实告诉他，这玩意的性能远超碳基芯片。

理论和现实出现了对立，这大概是他搞科研这些年来的头一次。

不过如果能找到这里面的原因，对于芯片的计算能力来说，可能是一次质的飞跃。

不到一万个灯柱产生的计算能力就能媲美拥有数百亿晶体管的硅基芯片，如果有数百亿个灯柱呢？

那计算能力得恐怖到一个什么样的程度去？

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