“双工台模块运动的误差必须小于2纳米，初始加速度大于导弹发射”

“为了过滤杂光，锅盖反射镜片内部足有四十层，表面加工误差不得大于1纳米”

“还有就是组装技术，即便每个模块的精度都达标，组装的过程中，也必须确保误差几乎为零”

“综上我们能得出结论：制造一台euv光刻机的难度，至少是氢弹的十倍。”

“如此高端的工业制造技术，理论上，华国还要十年时间，才能逐渐吃透和掌握，但”

轰地一声。

身后大屏幕上，落下两行大字：

黑洞科技，提前攻克高端制造技术

暴龙euv，于今天宣布制造成功！

“哇”

观众躁动一片，齐齐惊呼出声，甚至起身站立。

当然口说无凭，接下来的一个小时，蒲伟才开始讲述国产暴龙euv的种种技术特点。

132纳米激发光源，激发效率是193纳米光源的两倍多。

金属液锡的击打频率，从最开始的50次，500次，5000次，逐渐达到可以使用的2万次，最终追平国外的每秒5万次！

国产锅盖镜片，反射率为82国外为70，经过20次反射后，最终能量利用率达189，艾思迈euv只有008。

综合曝光功率，超过了625w，是艾思迈euv的25倍。

至此。